Давно мечтал сделать сварочный аппарат, или иное мощное устройство по схеме пуш-пула. Но, у пуш-пула есть неприятная особенность, входит сердечник магнитопровода в насыщение. Есть в любом случае несимметричность по плечам, хотя бы по 7напряжению открытого ключа, от технологического разброса ни куда не уйти. Вот, нижний график, этот график пропорционален току намагниченности, моделировался пушпул, где в плечо добавлен резистор 0.5 ом, Рис 1 . Тут не вся модель, а только часть ее, самое основное. Вот, на 2 мсек сердечник вошел в насыщение. Вопрос, а почему сердечник полумоста не входит в насыщение? Или мост с разделительным конденсатором? Там конденсатор заряжается в одну сторону, чем и компенсирует несимметричность нагрузки в разных тактах. Нашел в Интернете описания, как с несимметричностью бороться. Много сложных и хитроумных методов. У меня появилась мысль, а если добавить еще симметрирующий трансформатор – полумост? Устройство: трансформатор тока, но с мощным магнитопроводом, во вторичке – энергия отдается в конденсатор питания, за счет неравности импульсов заряжаются конденсаторы в одну сторну, которые исправляют не симметричность импульсов. Согласно модели, насыщение магнитопровода не происходит, с тем же резистором 0,5 ом.. Это гораздо лучше симметрирующего дросселя (находил подобные схемы в Интернете, что и натолкнуло на мысль о симметрирующем трансформаторе.) В этом случае можно в ИН использовать пуш – пул. Это даст: 1 в два раза уменьшится разогрев. 2 будут исключены сквозные токи с оппозитным диодом, так как такой диод отсутствует. 3 Можно работать в резонансе, (для этого надо ставить снаббера на открывание, с насыщающимся сердечником, что не так и сложно, иначе большие мгновенные мощности в момент выключения, до 9 кватт по модели, со снаббером – порядка 500 ватт ). 4 В связи с отсутствием оппозитных диодов, тут можно регулировать мощность скважностью. . Стоимость транзисторов на 900в примерно равна таковой стоимости для 600в. Например: IRG4PF50WD стоит примерно столько, сколько IRGP50B60PD1 ПОРи тех же характеристиках, при 100оС у IRGP50B60PD1 -25А, у IRG4PF50WD – 28А пр и тех же 100оС на кристалле. А мощность получим в 2 раза выше на нагрузке.
Я уже начал процесс изготовления блока питания по такой схеме, уже плату вытравил. Пока не поздно, высказывайте критические замечания, может чего не углядел, а детали спалить, это всегда можно успеть. Хотя, и моделировал пару недель, даже больше, даже модель индуктивности с насыщающимся сердечником написал, но может где то и закралась ошибка. Вот, полная модель.
Вложения: |
1.PNG [ 43.7 Кб | Просмотров: 149 ]
|
2.PNG [ 50.33 Кб | Просмотров: 139 ]
|
3.PNG [ 24.28 Кб | Просмотров: 301 ]
|
5.PNG [ 63.99 Кб | Просмотров: 526 ]
|
_________________ слава Україні- смерть ворогам.
|