INDUCTION HEATING http://induction.listbb.ru/ |
|
Теоретические вопросы по ИН http://induction.listbb.ru/viewtopic.php?f=17&t=304 |
Страница 4 из 6 |
Автор: | derba [ 29 янв 2018, 22:44 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Разница в сопротивлении то существует, но при малом напряжении она значительно меньше себя проявляет. Для 12в питания, к примеру, ток намагниченности, когда магнитопровод входит в насыщение в 25 раз больше (обратно пропорционально числу витков), чем при 310в, то значительный ток намагниченности и не дает развиться насыщению, выравнивает разницу, а при 310в ток намагниченности мал для этого. |
Автор: | Феникс [ 30 янв 2018, 14:13 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Ни как Вы не хотите расстаться с пуш-пулом. Самая правильная и рациональная первая схема. Только в место диода D6 нужно поставить перемычку, он здесь не нужен. Соединять минуса источников питания я бы не советовал, в целях безопасности. В ИРке стоит стабилитрон 15,6В, поэтому, в плюс питания 15В я бы включил резистор 10-20 Ом, чтобы защитить его от неожиданностей. Конденсатор С8 увеличил бы как минимум до 10 мкФ. Индуктивность обмоток импульсного ТР у вас слишком велика, я бы поставил не более 50мкГн Забыл еще, нет необходимости использовать здесь транзисторы IRF 840. |
Автор: | Феникс [ 30 янв 2018, 15:35 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
nukem писал(а): На всякий случай решил переспросить, потому, что на картинках получилось всё мелко. D6 = D5, C8 = C3 ? Все так. nukem писал(а): Знаю, что IR2153D с диодом IR2153S без диода, у меня модель просто IR2153 у него не знаю, поэтому ставил. Что с диодом что без, лучше поставить перемычку. nukem писал(а): Я абсолютно не ориентируюсь, могли-бы Вы посоветовать какими лучше заменить IRF 840, выбор очень большой, а на ваш вкус? И резистор в базу для каждого транзистора ведь свой, может быть ставите какие-то транзисторы с этим резистором. Самые доступные и дешевые, фирмы IRF 530;630;540;640. Схема вроде правильная, только с индуктивностью ИТР я лоханулся, надо 100-150 мкГн ( так калькулятор говорит). |
Автор: | nukem [ 30 янв 2018, 15:44 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Феникс писал(а): Самые доступные и дешевые, фирмы IRF 530;630;540;640. Схема вроде правильная, только с индуктивностью ИТР я лоханулся, надо 100-150 мкГн ( так калькулятор говорит). Спасибо! Начнинаю изготавливать блок питания 15В из ташибры. Да, я эту индуктивность взял из вашей схемы, там намотано 11-12 витков, у меня и получилось примерно 130мкГн. |
Автор: | Феникс [ 30 янв 2018, 15:56 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
С ташиброй надо аккуратней, у нее нет стабилизации напряжения, поэтому выходное напряжение будет зависеть от напряжения сети. А что показывает симулятор в таком варианте схемы? |
Автор: | nukem [ 30 янв 2018, 16:01 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
На ключах моста в этом варианте самая красивая осциллограмма напряжения (на мой взгляд), ну если долго ждать где-то на 4-5й миллисекунде будет покорявее, но не сильно, там наверное открытие и закрытие ключей становится выраженнее: Вот так становится на 4 миллисекунде: |
Автор: | Феникс [ 30 янв 2018, 17:18 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Похоже на правду. Сделай резисторы R 12-15 еще меньше , Ом так по 100, будет еще красивше. |
Автор: | derba [ 30 янв 2018, 18:29 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
А мне сигнал не нравится, эта полочка на 4в, ключи при таком напряжении на затворе работают в активном режиме. Чуть вырастет ток, и все, локальный разогрев кристалла (ток при активном режиме идет через малую площадь) убъет ключ, дда и наклон кривой мал, большие время переключения, соотв и большие динамические потери. Я бы такой сигнал не использовал. |
Автор: | Феникс [ 30 янв 2018, 19:35 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
На практике, как я помню, у меня такая же ерунда получалась. Если убрать резисторы R12-15 то спад вообще пологий получается. Для того и стоят эти резисторы. Если еще больше нагрузить обмотки, то получается явно выраженный dt и импульсы круче. Я эксперименты проводил в железе, а в симуляторе раз плюнуть поиграть с трансформатором, с резисторами. Это ж модель, а не железо. |
Автор: | Феникс [ 30 янв 2018, 20:05 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Вот схема Негуляевского сварачника, практически одно и тоже. |
Автор: | Феникс [ 31 янв 2018, 08:46 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Тут еще заряд емкости затвора, вносит свою каплю дегтя. Разряжается он медленно, через резисторы R12-15, R16-19 поэтому, затворные резисторы надо как можно меньше. Можно добиться приемлемой формы. К тому же , в режиме ниже резонанса, важна крутизна фронта, спад не так важен. |
Автор: | nukem [ 31 янв 2018, 11:16 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Долго гонял симулятор, в результате пришел к выводу, что дело в напряжении на базе. Если оно 15В, то ничто не влияет и замена IGBT на MOSFET тоже. Без разницы каким образом его понижать. Если снижать сопротивление разисторов, они начинают шунтировать вторичные обмотки и напряжение на базе уменьшается. Можно снизить индуктивность вторичных обмоток импульсного трансформатора и тем самым добиться того-же. Чем меньше напряжение, тем лучше осциллограмма. Вариант, предложеный derba так-же проверил, ставил IRF530 и резистор 100Ом - в результате то-же самое, что и просто с резистором 100Ом. Но разница между уменьшением напряжения при помощи уменьшения шунтирующего резистора и уменьшением индуктивности вторичной обмотки импульсного трансформатора все-же есть (напряжение около 6В): при уменьшении напряжения трансформатором, появляются выбросы, сначала их нет.: При уменьшении сопротивления резисторов (шунтированием) и я его переставил не знаю можно-ли, но так лучше, делая выводы из слов Феникса, ярко выражен dt, нет никаких выбросов : Понятно, что 5-6В неприемлемо, поэтому подскажите какое минимальное напряжение на базах транзисторов моста будет допустимо для нормальной работы? |
Автор: | Феникс [ 31 янв 2018, 12:19 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Нижняя осциллограмма,можно сказать идеальная, для такого способа управления, но напряжение мало. Схема не правильная, резисторы R16 иR12, образуют делитель, поэтому и напряжение на затворах маленькое. Можно и так, но тогда нужно поднимать напряжение на обмотках, чтобы напряжение на затворе было 12-18 В. Но с такими маленькими резисторами, будет большой ток, будут греться резисторы, и тратится в пустую энергия. В общем надо стремится к такой осциллограмме. nukem писал(а): Если снижать сопротивление разисторов, они начинают шунтировать вторичные обмотки и напряжение на базе уменьшается Нужно поднять мощность БП. |
Автор: | nukem [ 31 янв 2018, 12:25 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Феникс писал(а): Нужно поднять мощность БП. Будет ташибра 105Вт. Поковыряюсь еще, попробую. |
Автор: | derba [ 31 янв 2018, 15:34 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Феникс писал(а): К тому же , в режиме ниже резонанса, важна крутизна фронта, спад не так важен. И выше резонанса важен фронт, а крутизна спада мало влияет на работу. То "nukem" Я использую оптодрайвера, НСPL3180 проще и надежнее. Только надо гальванически развязанное питание на верхний каждый драйвер, и одно питание н нижние драйвера. До 100кгц работает отлично. выше не проверял. Нижнюю частоту, что делал: электромотоцикл, ок 300 гц. То управляло затворами 20н (IRFP4468). viewtopic.php?p=14743#p14743 Резистор затворый ставил SMD 5,1ом, то до 100кгц работает без проблем. А с ТГР я раз спалил ключи, и не в симуляторе, а в натуре, на ХХ, то решил вообще от них отказаться. Спалил после пару часов работы, при тестировании. Была схема зарядно- пускового с ШИМ, ток во время пуска ок 100А (более 1 кватта при пуске). Затем пробовал на IR2110, не надежно, там проблемы с верхним драйвером, его минус питания не должен быть ниже минуса питания нижнего драйвера, иначе микросхема сгорает, это недоработка проектирования микросхемы, этот факт записан в даташите мелким шрифтом, а при переключении, за счет выбросов это случается, а вот оптодрайвера работают отлично. Есть аналог FOD3180, дешевле и по параметрам лучше, там на выходе 2 полевика, у НСPL3180 выход сделан на полевике и биполярнике, что хуже по параметрам. |
Автор: | nukem [ 31 янв 2018, 16:24 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Да, я знаю про оптодрайверы, пробовал с ними моделировать, но я пока не добью до конца не отстану, такой уж характер . derba, Феникс не знаете ли такие мощные ключи (мосфеты или игбт) напряжение на затворах которых не 20В, а 10-12 ? Такие транзисторы должны нормально открываться при 5-8 В на базе, и быть мощными. Такие в природе существуют? Я не могу найти. Если они есть, то проблема будет решена, на базах ключей моста будет такой сигнал: |
Автор: | Феникс [ 31 янв 2018, 17:49 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
В железе у меня все работает, осциллограмма приблизительно такая же, напряжение от 12-15 вольт( в зависимости от напряжения сети), без проблем. Резисторы как у меня на схеме. Что тут не так не знаю. Что то с питанием, не держит напряжение, или симулятор врет. Попробуй понизить частоту, 100кГц, это многовато. |
Автор: | derba [ 31 янв 2018, 18:13 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
nukem писал(а): Да, я знаю про оптодрайверы, пробовал с ними моделировать, но я пока не добью до конца не отстану, такой уж характер . derba, Феникс не знаете ли такие мощные ключи (мосфеты или игбт) напряжение на затворах которых не 20В, а 10-12 ? Такие транзисторы должны нормально открываться при 5-8 В на базе, и быть мощными. Такие в природе существуют? Я не могу найти. Если они есть, то проблема будет решена, на базах ключей моста будет такой сигнал: 20 в это мах допустимое напряжение, после которого затвор пробивает. Затвор, это тот же конденсатор, в качестве диэлектрической прокладки окись кремния, и она настолько тонкая. что происходит пробой выше 20в. При 8в практичеки ключи входят в насыщение, но надо напряжение повыше, для того, что бы быстро заряжать емкость затвора. Без затворного резистора работать нельзя, индуктивность дорожки и емкость затвора создают колебательный контур, получается генератор ударного возбуждения. Колебания способны открывать ключ, причем амплитуда первого колебания порядка 3-5в, что вводит ключ в активный, самый опасный режим, с трансформаторным драйвером будет еще выше напряжение колебаний, а частота колебаний меньше, ведь вторичка имеет индуктивность, которая примет участие в колебательном процессе. Затворные колебания без резистора я наблюдал в свое время в живую, помощью осциллографа, у меня USB осцилл, с частотой дискретизации 1Ггц, что позволяет смотреть колебания до 500мгц. А резистор в цепи затвора гасит эти колебания. |
Автор: | nukem [ 31 янв 2018, 18:28 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Я и мею ввиду максимально допустимое напряжение на затворе. Есть транзисторы с этим параметром Ugs = 10V, 12V думаю, что если на такие подать 5-6 вольт то это для них и будет самое подходящее напряжение для открывания. Про такие и спрашивал. ахахах вот нашел: IRFP460 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник Наименование прибора: IRFP460 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm Тип корпуса: TO3P Т е IRFP460 при 5-6V на затворе нормально откроется и для него это подходящее напряжение, что мне и нужно. Вранье , https://alltransistors.com/ru/mosfet/tr ... istor=2958, а посмотрел в даташит у него там 20 а не 10 |
Автор: | Asid [ 31 янв 2018, 18:56 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
derba Тааак,в остальном впринципе ясно,стрелкой на овальном рисунке показаны паразитические токи Фуко? И подскажите они с внутренней стороны индуктора? И в каким они местах возникют?полоски и канавки должны быть паралельно трубки индуктора или вдоль всей трубки? Впринципе можно сделать канавки,покрыть участки лаком где не будет покрываться серебром,в итоге получим на вкус глубиной 0,1 мм.если выступающие полоски гальванически осажденного серебра будут толщиной 0,1 мм.И сколько полосок должно быть по окружности трубки? |
Автор: | Феникс [ 01 фев 2018, 15:34 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Пока не чего не понял. |
Автор: | nukem [ 01 фев 2018, 15:36 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Феникс писал(а): Пока не чего не понял. я старался, спросите я поясню |
Автор: | nukem [ 01 фев 2018, 16:29 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Я это всё понимаю, и как он работает, и что сгорят я сейчас посмотрел там около 50 ватт на нем . Но то, что из-за удвоенного напряжения искажается сигнал, как я и писал - это факт. Я повторюсь, если убрать это удвоение, то сигнал сразу будет как надо, он еще до моста, тут в пуш-пуле и портится. Стабилитрон не подходит, а как тогда... |
Автор: | Феникс [ 01 фев 2018, 16:42 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Не знаю, я не пользуюсь симулятором, мне трудно вам что то посоветовать. В симуляторе можно как угодно все менять, он все проглотит, железо не допускает такого. Знаю из практики, что нагружая вторичные обмотки сигнал выравнивается, почему это происходит, до меня тоже не дошло. derba писал про токи намагниченности, может он что то пояснит viewtopic.php?p=24231#p24231. Добавлю , что даже от марки феррита, зависит форма этих импульсов. |
Автор: | Asid [ 01 фев 2018, 23:43 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
derba Относительно понятно)),конечно в электронике я не очень силён,за что выбачаюсь,на след.неделе попытаюсь посеребрить индуктор полосками,о результатах отпишусь насколько упадут токи холостого хода и насколько вырастет кпд.Еще вопрос,нашел два сердечника,они точь в точь как на индукторе размером,но один из них светлозеленого цвета,насколько важно это?то есть получается один дроссель будет состоять из двух жёлтых сердечников,а второй из жёлтого и зелёного сердечника.Можно ли так сделать? |
Автор: | derba [ 02 фев 2018, 02:31 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Asid писал(а): derba.Еще вопрос,нашел два сердечника,они точь в точь как на индукторе размером,но один из них светлозеленого цвета,насколько важно это?то есть получается один дроссель будет состоять из двух жёлтых сердечников,а второй из жёлтого и зелёного сердечника.Можно ли так сделать? Я бы так не делал, дросселя должны быть идентичными, во всяком случае разброс по параметрам должен быть минимальным. |
Автор: | nukem [ 03 фев 2018, 19:05 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Феникс писал(а): http://induction.listbb.ru/viewtopic.php?p=21597#p21597 Вот здесь можно посмотреть. Оптодрайвера нужны для развязки по питанию. У вас же питание развязано импульсными трансформаторами. Можно ТС4420, а можно используя ту же Ирку , четыре транзистора, и один Итр. Или просто четыре оптодрайвера, но возникают сложности с питанием( это кому как). Попробую нарисовать простенкую схемку. Это Ваше последнее сообщение на второй странице. Хочу спросить "Ирку , четыре транзистора, и один Итр", Вы имеете ввиду напрямую от ирки 4 транзистора моста без драйверов или из четырех транзисторов сделать усиливающие драйверы? |
Автор: | Феникс [ 03 фев 2018, 19:14 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Да что пушпул, что мост, разницы не какой, на выходе будет то же самое. Разница в конструкции трансформатора. Самый лучший вариант оптодрайвера. Импульсы идеальные, но блок питания, должен иметь три гальванически развязанных источника( для моста), или два для полумоста. |
Автор: | derba [ 03 фев 2018, 23:00 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
nukem писал(а): derba писал(а): Защита за счет диода, напряжение импульса уходит в емкость, которая должна быть керамика или пленка. Может быть надо эту емкость увеличить, или 1мкФ хватит? И еще Вы передвинули резистор, теперь там получился делитель, это так и надо? Я понимаю что, все это улучшит работу ин в реальных условиях, и применю это, но выбросы на ключах никуда не делись. Я пробовал переставлять в старой схеме шоттки вплотную к затвору (вправо) выбросы уменьшались, но все равно оставались, и наверное со временем разовьются в такие же. Вот реальная схема БП, работает в железе. Тут минус 3в, плюс 15. 0в на эмиттер, -3 на минус питания оптодрайвера, +15- на плюс питания оптодрайвера. viewtopic.php?p=12324#p12324 1 мкф хватит с головой, у меня вообще ок 200нф. Проходная емкость обычно меньше 1н, то 300в импульс, созданный за счет Миллера максимум даст отклик в 200раз меньше на индуктивности 200н, или 1,5в, что нисколько не страшно (при 1мкф вообще в 1000раз меньше). Но, если нижнее питание 0в, то может , совместно с паразитным колебаниям открыть ключ. |
Автор: | nukem [ 03 фев 2018, 23:40 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
На картинке у Вас все питается от сети, а я хочу делать блок питания из трансформатора для питания галогенных ламп 12В, разновидность Ташибры, что там переделывать я знаю, там несложно, из нее хорошо получится? Там во вторичке 9 витков, я её буду перематывать, и такой дилетантский вопрос, у Вас на картинке напряжение после вторичных обмоток выпрямляется диодом, значит получается импульсное напряжение -3 и +15, там есть еще конденсаторы.. и это номально? оно-же не совсем прямое там получится, и какая емкость у тех конденсаторов? |
Автор: | derba [ 04 фев 2018, 00:16 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
nukem писал(а): На картинке у Вас все питается от сети, а я хочу делать блок питания из трансформатора для питания галогенных ламп 12В, разновидность Ташибры, что там переделывать я знаю, там несложно, из нее хорошо получится? Там во вторичке 9 витков, я её буду перематывать, и такой дилетантский вопрос, у Вас на картинке напряжение после вторичных обмоток выпрямляется диодом, значит получается импульсное напряжение -3 и +15, там есть еще конденсаторы.. и это номально? оно-же не совсем прямое там получится, и какая емкость у тех конденсаторов? Емкость порядка 100-470 мкф. Это БП по схеме с даташита, подобные БП, именно на этой микросхеме стояли в мониторах с ЭЛТ. БП для ноутбуков иногда сделаны именно на этой микросхеме, я такие ремонтировал. Какое импульсное напряжение? Конденсатор сглаживает все, частота ок 50 кгц, пульсаций по осциллографу практически не видно. Должен в параллель стоять конденсатор(ы) керамика или пленка, кроме тех, что непосредственно у оптодрайвера. Можно прикинуть: при среднем токе нагрузки 1А, и емкости 470 мкф: Пульсации ок 0.5в для КМОП логики при питании 15в не страшны. U=I*dT/C=1*20e-6/100e-6=0,042в или 42 мв, драйвер в среднем потребляет по питанию ок 20 ма, то пульсации в 50 раз меньше, т.е меньше 1 ма. И логика потребляет меньше 1А, я же использую КМОП логику. Питание с галогенок стабилизированное? Если нет, то желательно поставить на выходе КРЕНку по плюсовому питанию, на 15в. А по минусу (если двухполярное питание) не обязательно. По минусу , если меняется напряжение в пределе от 3в до 6в, то в работе Вы и не увидите разницы. |
Автор: | derba [ 04 фев 2018, 13:20 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
nukem писал(а): Я пробовал переставлять шоттки. Раньше они стояли левее делителя, а теперь поставил правее него, выбросы уменьшались очень сильно, с -6 до -0.8 вольт. На этом уровне остается, проверил до 20мс симуляции. IRFP460 на схеме потому, что с ними гораздо быстрее работает LTspice: 1) Можно ли устанавливать диод шоттки в это место? Если пульсации такие незначительные, то может быть это решает проблему и не стоит заморачиваться с двуполярным питанием и в этом случае Ваш диод идущий к конденсатору оставить или он тоже не нужен? Попробуйте так, только я предпочитаю двухполярное питание. Есть эффект Миллера, к сожалению нет доступа к старым данным, у меня есть реальная осциллограмма с этим эффектом. Там Ваш диод не поможет. Диод, идущий к конденсатору, точнее к + питания желательно поставить, он предотврашает паразитные выбросы в момент переключения, т.е. он играет роль стабилитрона . nukem писал(а): 2) Перечитал даташит, неужели такое подключение можно как-то применить для наших целей, даже возникла бредовая идея подать сигнал таким образом на IR2108 Такое подключение, как в даташите дает возможность стечь паразитным импульсам обратной полярности , которые возникают за счет паразитных конденсаторов во время переключения через открытый транзистор. Когда транзистор закрыт, то импульсы стекают через резистор. Диод во встречно параллельном включении делает то же самое, паразитные импульсы стекают через диод, и опасного обратного напряжения не возникает, то не стоит заморачиваться, ставьте диод и вопрос по безопасности решен. |
Автор: | derba [ 04 фев 2018, 14:07 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
nukem писал(а): Это не опасно? Без этого диода этих выбросов нет. Так-же если этот диод расположить слева от резистора 680Ом выбросы отсутствуют как и без него. Можно так сделать?: И последний вопрос , почему на входах оптодрайверов такое низкое напряжение, всю голову сломал, непойму.. ? Низкое напряжение на светодиоде, выбросы на светодиоде - это же модель, в реале будет и напряжение на светодиоде больше, и выбросов не будет . Модель пишется для моделирования работы схемы, и напряжения, паразитные выбросы на работу схемы в модели не влияют. И модели обычно пишут на примитивах, а это дает некоторые искажения в работе. Можно , конечно , написать один в один с микросхемой, но тогда скорость работы будет оч. медленной, раз в 10 медленнее но правильной. viewtopic.php?p=15900#p15900 вот пример написания модели (CD4046), тут передается чисто алгоритм работы, схема в реале совершенно другая, а алгоритм работы одинаков, но всего учесть не возможно, то работа в мелочах может отличаться от реальной работы. |
Автор: | nukem [ 04 фев 2018, 14:19 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
derba писал(а): Низкое напряжение на светодиоде, выбросы на светодиоде - это же модель, в реале будет больше. Модель пишется для моделирования работы схемы, и напряжения, паразитные выбросы на работу схемы не влияют. И модели обычо пишут на примитивах, а это дает некоторые искажения в работе. Можно , конечно , написать один в один с микросхемой, но тогда скорость работы будет оч. медленно, но правильно. Спасибо, тогда значит можно на этой схеме остановиться и её и собирать . Я так понял, что забить на эти выбросики и на то, что низкое напряжение на светодиодах, а без разницы слева или справа от резистора 680Ом стоит шоттки, на работу не влияет? Просто там 1.2В вместо 15В, и эти малюсенькие выбросы они мне казалось оттого и малюсенькие, что напряжение 1.2В, ведь если там реально в 10раз выше напряжение, то и ток будет раз в 10 выше. |
Автор: | derba [ 04 фев 2018, 15:06 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
nukem писал(а): Спасибо, тогда значит можно на этой схеме остановиться и её и собирать . Я так понял, что забить на эти выбросики и на то, что низкое напряжение на светодиодах, а без разницы слева или справа от резистора 680Ом стоит шоттки, на работу не влияет? Просто там 1.2В вместо 15В, и эти малюсенькие выбросы они мне казалось оттого и малюсенькие, что напряжение 1.2В, ведь если там реально в 10раз выше напряжение, то и ток будет раз в 10 выше. На светодиодах напряжение не 15в , а порядка 2,5-3в. Это же по сути диод в прямом включении. Я всегда ставлю диод на входе после резистора. Паразитному импульсу незачем еще идти через резистор. Хотя, токи там мизерные, практически разницы не будет. |
Автор: | derba [ 05 фев 2018, 23:05 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Теоретические вопросы по ИН |
Я ошибок не заметил. |
Страница 4 из 6 | Часовой пояс: UTC + 3 часа [ Летнее время ] |
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group http://www.phpbb.com/ |